Memoria RAM

"RAM > Random Access Memory > Memoria de Acceso Aleatorio". Es la memoria desde donde el procesador recibe las instrucciones y guarda los resultados.

Términos técnicos de Memoria

> TIEMPO DE REFRESCO O LATENCIA: El refresco o latencia es el tiempo en que tarda en recargar eléctricamente las celdas de memoria. SDRAM DDR 2,4 V. Voltaje 3,3 voltios.

> TIEMPO DE ACCESO: Es el tiempo requerido o necesario que se necesita desde que se lanza la operación de lectura o escrito en la memoria, el instante que se dispone a la información buscada. También tiempo que se solicita a la memoria para poder ejecutar cualquier operación específica.

> BUFFER DE DATOS: Es el espacio de memoria, en el que almacenamos datos que el programa o recurso que los requiere, ya sea software o hardware, se quede en algún momento sin datos. La paridad es un método de codificación que comprende: recibir bits de información, y generar,Se utiliza para detectar, y  corregir errores en la transmisión.

> PARIDAD: Las hay de dos tipos; con paridad que es cuando compara cada byte antes y después de pasar por la DRAM, si se detecta un error esta informacion se pierde y se vuelve a repetir el proceso sin saber en donde ocurrio el error, al contrario de las que no tienen paridad ya que estas procesan la informacion como si no hubiera pasado nada aun teniendo errores en la información.

Estructura física

Físicamente, están constituidas por un conjunto de chips o módulos de chips normalmente conectados a la tarjeta madre.. Los chips de memoria son rectángulos negros que suelen ir soldados en grupos a unas plaquitas con "pines" o contactos.

Memoria RAM volátil y aleatoria

Es volátil, que solamente almacena datos mientras recibe electricidad. Por lo tanto, cada vez que el equipo se apaga, todos los datos de la memoria se borran.

Es aleatoria, es un área de almacenamiento a corto plazo para cualquier tipo de dato que en la computadora se esté ejecutando.

Almacenamiento de la información en la memoria RAM

El almacenamiento es considerado temporal por que los datos y programas permanecen en ella mientras que la computadora este encendida o no sea reiniciada.

Tipos de Memoria RAM

> SÍNCRONAS: Es cuando tiene mayor rendimiento, pues no se producirán 'cuellos de botella' entre microprocesador y memoria, a medida que se acceden a los datos el microprocesador los procesa.

> ASÍNCRONAS: Cuando la memoria RAM no permite trabajar a la misma velocidad con el FSB y cuando esto sucede se da la relación conveniente la cual es FSB/MEM.

Módulos de memoria RAM

> DIP: Es un circuito integrado electrónico compuesto por un conjunto de componentes conectados entre si e incluidos en una placa de silicio de menos 1 mm, formando un conjunto en miniatura capaz de desarrollar las mismas funciones que un circuito formados  por elementos discretos

> SIPP: Es un circuito impreso o modulo, en el cual se montan varios (chips) de memoria RAM, con una distribución de pines correlativos. Es alargado y tiene alrededor de 30 pines, estos encajan en las ranuras de la placa base y su ministran 4 bits por modulo.

> SIMM: Es un tipo de encapsulado compacto en una  pequeña placa de circuito impreso que almacena chips de memoria en la que se encajan en un zócalo SIMM  sobre la placa base, sus zócalos son blancos.

> DIMM: Se trata de un pequeño circuito impreso que contiene chips de memoria y se coloca directamente en ranuras de la placa madre, se usa en un conector de 168 contactos y sus zócalos generalmente son negros.

> RIMM: Denomina al patrón de la RAM que utilizan una tecnología denominada RDRAM  y debido a sus altas frecuencias de trabajo requieren de difusores de calor consistentes en una placa metálica que recubre los (chips) del módulo.

Módulos RAM para portátiles

> SO-DIMM: El tamaño de estos módulos es muy reducido ya que se emplea sobre todo en los ordenadores de los portátiles, es una versión compata a los DIMM convencionales, tiene un tamaño de la mitad del SIMM y cuentan con 144 contactos.

> MICRODIMM: Más pequeño que un SODIMM, se utilizan  principalmente en equipos Sub-notebook. Y están disponibles en el pim-SDRAM y 144-pin DDR 172.

> SO-RIMM: Es un subsistema de uso general y es de buen rendimiento, adaptable para un extenso rango de aplicaciones incluyendo memoria de computadoras (móviles). Donde se requiera anchura de banda alta y baja latencia.

Tecnologías

► Memorias Asíncronas

• DRAM: Su nombre se refiere a que es una memoria dinámica. Ésta es la memoria más lenta pero al igual la más original. Su velocidad es de 7 a 8 ns. Tiempo que se demora en eliminar sus datos para que entren otros.

• FPM-RAM: Por el hecho de evolucionar de la RAM, se le conoce a veces con ese nombre, y pocas veces se pueden diferenciar; es más rápida por su estructura y por su velocidad de 7-6ns.

• EDO-RAM: Esta proviene de la FPM, en esta memoria se puede almacenar nuevos datos mientras los anteriores van saliendo, y por esto es más rápida.

• BEDO-RAM: Es una versión más avanzada que la EDO, y envía ráfagas de datos.

► Memorias Síncronas

• SDR SDRAM: Esta memoria se presenta en módulos de memoria DIMM con 168 contactos, tiene un tiempo de acceso de 25 y 10 ns. Esta es utilizada en los Pentium II Y Pentium III.Es una memoria síncrona dinámica.

PC66: Es una muestra de la SDRAM,y tiene una velocidad máxima de 66 Mhz. 

PC100: Es un tipo de memoria SDR SDRAM, y tiene un tiempo máximo de funcionamiento de 100Mhz 

PC133: Es un tipo dinámico de memoria SDR SDRAM, con un tiempo de funcionamiento de 133Mhz.

• DDR SDRAM: Es un módulo de memoria y es la que se encarga de enviar los datos por cada ciclo de reloj, y por esta razón trabaja el doble de  velocidad que el bus del sistema; sin que la frecuencia de reloj se incremente. También se encuentra  en los zócalos de memoria DIMM.

Nombre estándar	Velocidad del reloj	Tiempo entre señales	Velocidad del reloj de E/S	Datos transferidos por segundo	Nombre del módulo	Máxima capacidad de transferencia
DDR-200	100 MHz	10 ns	100 MHz	200 millones	PC1600	1600 MB/s
DDR-266	133 MHz	7,5 ns	133 MHz	266 millones	PC2100	2133 MB/s
DDR-333	166 MHz	6 ns	166 MHz	333 millones	PC2700	2667 MB/s
DDR-400	200 MHz	5 ns	200 MHz	400 millones	PC3200	3200 MB/s
DDR-533	266 MHz	3,7 ns	266 MHz	533 millones	PC4300	4264 MB/s
DDR2-600	150 MHz	6,7 ns	300 MHz	600 millones	PC2-4800	4800 MB/s
DDR2-667	166 MHz	6 ns	333 MHz	667 millones	PC2-5300	5336 MB/s
DDR2-800	200 MHz	5 ns	400 MHz	800 millones	PC2-6400	6400 MB/s
DDR3-1066	133 MHz	7,5 ns	533 MHz	1066 millones	PC3-8500	8530 MB/s
DDR3-2000	250 MHz	4 ns	1000 MHz	2000 millones	PC3-16000	16000 MB/s

Para ver la tabla completa Clic Aquí.

• RDRAM: Es una memoria creada por la empresa Rambus, con una gama y un protocolo muy alto. Para comprarla se deben pagar regalías demasiado altas, y por esto prefieren las memorias DDR.

XDR DRAM: Es una implementación de alto desempeño de las DRAM, el sucesor de las memorias Rambus RDRAM y un competidor oficial de las tecnologías DDR2 SDRAM y GDDR4. 

XDR2 DRAM: Es un tipo de memoria dinámica de acceso aleatorio que se ofrece por Rambus . Fue anunciado el 07 de julio 2005 [ 1 ] y la especificación para el cual fue lanzado el 26 de marzo de 2008. Rambus ha diseñado XDR2 como una evolución de, y el sucesor, XDR DRAM .

• DRDRAM: una memoria RAM de la arquitectura totalmente nueva, con control del bus (el Rambus Channel Master) y una nueva vía (el Canal de Rambus) entre los dispositivos de memoria (el Canal de Rambus esclavos).. 

• SLDRAM: Funciona a velocidades de 400MHz, alcanzando en modo doble 800MHz, con transferencias de 800MB/s, llegando a alcanzar 1,6GHz, 3,2GHz en modo doble, y hasta 4GB/s de transferencia.
• SRAM: Es una memoria estática  de acceso aleatorio, a diferencia que la DRAM, esta si puede guardar los datos, esta no necesita de circuito de refresco; y esta si es volátil.

ASYNC SRAM: Tiene una velocidad de 20 o 10ns, es la memoria de los antiguos 386-486 Pentium, era su memoria caché. 

SYNC SRAM: Es la memoria sucesora de esta, tiene una velocidad de 12- 8.5ns y es capaz de sincronizarse con el procesador.  

PIPELINED SRAM: Esta también se sincroniza con el procesador pero con la diferencia de que esta carga los datos demasiado lento.

• EDRAM: Un condensador basado en la memoria de acceso aleatorio dinámico integrado en el mismo chip como un ASIC o el procesador. El costo por bit es mayor que el de los chips DRAM independiente, pero en muchas aplicaciones, las ventajas de rendimiento de la colocación de la EDRAM en el mismo chip que el procesador supera la desventaja de costes en comparación con la memoria externa.

• ESDRAM: Tiene una velocidad de 133Mhz,y se puede transferir a velocidades de 1.6Gbs, tiene un apoyo mínimo en el monitoreo.
• VRAM: Es como una memoria RAM pero por el monitor y por el procesador de la tarjeta gráfica  pueden acceder a ella al mismo tiempo.

• SGRAM: Ofrece grandes capacidades de la memoria SDRAM, para la tarjeta gráfica, este tipo es el más usado en las nueva tarjetas gráficas.

• WRAM: Esta permite leer y escribir información de la memoria, se parece a la VRAM, pero esta optimiza más colores.